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【引用】辉钼材料或成下一代半导体材料 ?  

2011-02-25 11:49:12|  分类: 科技 |  标签: |举报 |字号 订阅

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       1 月31 日英国《自然·纳米技术》刊登最新研究成果:单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性,有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯,可望成为下一代半导体材料。

 辉钼材料(即二硫化钼)与硅晶体相比具有两大优点:一是体积更小,电子在0.65纳米厚的辉钼材料薄膜的运动能力,与在2纳米厚的硅薄膜相当;二是辉钼材料的待机耗能仅为硅晶体管的10万分之一。辉钼材料与石墨烯相比的优点:前者具有天然带隙,利于电子跃迁以控制通断,用氧化铪介质栅门能大幅提高其电子流动性;而石墨烯没有带隙,人为掺杂“裁剪”带隙非常困难,且会降低电子流动性。

辉钼材料被寄希望于制造更小、更高效的电子芯片,在下一代电子设备领域将比传统硅材料和目前热门的石墨烯更有优势。

  相关上市公司有:

          金钼股份(601958),金堆城钼矿是全球六大原生钼矿之一,钼金属储量78.6万吨;

          宏达股份(600331),投资101亿生产钼、铜,最新成果辉钼二极管;

          st偏转(000697),    年产钼精矿2006吨;

         万好万家(600576),  钼金属权益储量7.58万吨、钼矿品位高;

         长征电器(000112), 拥有4.2万吨钼储量;

         厦门钨业(600549), 钨钼为伴生矿种,年生产粗钼丝300吨、细钼丝30亿米;

         江西铜业(600362), 钼精矿27.5万吨;

         紫金矿业(601899), 钼矿39万吨;

         铜陵有色(000630), 钼矿约80万吨;

         中国铝业(600362), 积极向稀土资源延伸,拥有大规模的钼生产能力。

                                                                                                                        --------(方正证券)

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